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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
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输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
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功率：375mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
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规格型号(MPN)：DMN65D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
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输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN65D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：180mA
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功率：300mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，10V
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功率：375mW
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ECCN：EAR99
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导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
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类型：2N沟道（双）
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