品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM50T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":423,"18+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86551L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4502,"19+":92500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2016LHAB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6402A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC4040SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:17.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@20V
连续漏极电流:7.5A
类型:N和P沟道互补型
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6402A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR698DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€23W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: