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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UQ-7
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1357pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3415-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
功率：900mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：294pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：620pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：4.3nC@4.5V
类型：N沟道
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：339pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：4.3nC@4.5V
类型：N沟道
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：339pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
输入电容：455pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1357pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
输入电容：1010pF@6V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：12V
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
功率：900mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：294pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
输入电容：1010pF@6V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：12V
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
导通电阻：100mΩ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：3.1A
输入电容：455pF@10V
类型：P-Channel
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：4.3nC@4.5V
类型：N沟道
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：339pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL3415-TP
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17.2nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5.2A
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
类型：P-Channel
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：1357pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：620pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：16+
规格型号(MPN)：AO3415
漏源电压：-20V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：41mΩ@-4A，-4.5V
类型：P-Channel
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：-4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1424EDH-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，4.5V
栅极电荷：18nC@8V
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：4.3nC@4.5V
类型：N沟道
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：339pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1441EDH-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@5A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
漏源电压：20V
功率：2.8W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-GE3
功率：1.6W€2.8W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：36nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：34mΩ@5.5A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P-Channel
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1357pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P-Channel
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P-Channel
导通电阻：100mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
