采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：130000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7495TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD07N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7495TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@6V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@6V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD07N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD07N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R600E6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R600E6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
