采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
