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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 2.7A
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0060TRPBF 起订23个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0060TRPBF 起订23个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订27个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订27个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@25µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@20V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1054UCB4-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1054UCB4-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:908pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN8601 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0060TRPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0060TRPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0060TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0060TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0060TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN7A11GTA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN7A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:298pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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