采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8LT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：821nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：41068}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP179H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：18Ω@210mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D7L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：570mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.821nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3043NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11pF@10V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D7L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：570mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.821nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D7L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：570mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.821nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
