采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：685，"07+"：255925，"08+"：3250，"09+"：47000，"10+"：2212，"15+"：79412，"16+"：2400，"MI+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
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功率：1.1W
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类型：P沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3133PFT1G
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漏源电压：20V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
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功率：1.1W
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
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连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：5675，"10+"：44757，"11+"：2285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3133PFT1G
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功率：1.1W
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类型：P沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
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类型：P沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：685，"07+"：255925，"08+"：3250，"09+"：47000，"10+"：2212，"15+"：79412，"16+"：2400，"MI+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
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连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：685，"07+"：255925，"08+"：3250，"09+"：47000，"10+"：2212，"15+"：79412，"16+"：2400，"MI+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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类型：P沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3133PFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：15.8nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：15.8nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
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输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
