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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
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功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
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规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
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输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
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功率：227W
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连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
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栅极电荷：141nC@10V
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输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
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输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
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功率：227W
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栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
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输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：4170pF@400V
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连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：36.5A
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连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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功率：227W
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栅极电荷：141nC@10V
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输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：141nC@10V
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连续漏极电流：36.5A
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输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
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导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：36.5A
功率：227W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：141nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3.5V@1.25mA
类型：N沟道
漏源电压：950V
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
输入电容：4170pF@400V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
连续漏极电流：36.5A
功率：227W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：141nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3.5V@1.25mA
类型：N沟道
漏源电压：950V
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
输入电容：4170pF@400V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
栅极电荷：141nC@10V
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输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
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漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
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