品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L150SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:60mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@100mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:N沟道
导通电阻:50Ω@100mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8672S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0306AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:150µA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2935}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:19A€21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7658AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€89W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7350pF@15V
连续漏极电流:29A€70A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: