品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25772}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@12V
连续漏极电流:31A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ011NE2LS5IATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@12V
连续漏极电流:35A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7108DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@22A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@2.6A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3430DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":260,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€37W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:20A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:21A€98A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.02W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6500
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7036pF@15V
连续漏极电流:71A€200A
类型:N沟道
导通电阻:0.95mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: