品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":827}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
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功率:32W
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
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连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:64nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
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类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
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连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
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栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
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栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
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连续漏极电流:7.3A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
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连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
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栅极电荷:64nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":827}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: