采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：48nC@4.5V
漏源电压：25V
连续漏极电流：60A
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
功率：54.3W
输入电容：5150pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
漏源电压：30V
栅极电荷：111nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：60A
功率：54.3W
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
漏源电压：30V
栅极电荷：111nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：60A
功率：54.3W
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：48nC@4.5V
漏源电压：25V
连续漏极电流：60A
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
功率：54.3W
输入电容：5150pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC16DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：48nC@4.5V
漏源电压：25V
连续漏极电流：60A
导通电阻：0.96mΩ@15A，10V
功率：54.3W
输入电容：5150pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
漏源电压：30V
栅极电荷：111nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：60A
功率：54.3W
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
