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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 3.8nC@4.5V
    当前匹配商品:90+
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    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订21000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订21000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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