采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3622，"21+"：20000，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3622，"21+"：20000，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2685}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
导通电阻：338mΩ@6A，10V
栅极电荷：15.3nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：607pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
导通电阻：338mΩ@6A，10V
栅极电荷：15.3nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：607pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：535pF@62.5V
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
类型：N沟道
漏源电压：125V
栅极电荷：15.3nC@10V
连续漏极电流：8.5A€31A
功率：5.1W€65.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
导通电阻：338mΩ@6A，10V
栅极电荷：15.3nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：607pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2685}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
