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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
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功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
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输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
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输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：91042，"20+"：3000，"21+"：72313，"22+"：4412，"MI+"：22800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：91042，"20+"：3000，"21+"：72313，"22+"：4412，"MI+"：22800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11635pF@20V
连续漏极电流：44A€130A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@44A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
