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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 13nC@4.5V
    当前匹配商品:100+
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    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订628个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订628个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":21549,"23+":18194}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC065N06LS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ065N06LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ065N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8466EDB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW€1.8W

    阈值电压:700mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@4V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0703LSATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0703LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.3V@20µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4264E 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4264E 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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