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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1438，"08+"：275，"10+"：109562，"11+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4836NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2677pF@12V
连续漏极电流：11A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1438，"08+"：275，"10+"：109562，"11+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4836NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2677pF@12V
连续漏极电流：11A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：161500，"11+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4847NAT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€48.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2614pF@12V
连续漏极电流：11.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4836NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2677pF@12V
连续漏极电流：11A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4847NAT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€48.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2614pF@12V
连续漏极电流：11.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4847NAT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€48.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2614pF@12V
连续漏极电流：11.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4836NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2677pF@12V
连续漏极电流：11A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4847NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€48.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2614pF@12V
连续漏极电流：11.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343，"14+"：10000，"15+"：129398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1438，"08+"：275，"10+"：109562，"11+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4836NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2677pF@12V
连续漏极电流：11A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6324
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2719pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：161500，"11+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4847NAT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€48.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2614pF@12V
连续漏极电流：11.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：570，"04+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343，"14+"：10000，"15+"：129398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343，"14+"：10000，"15+"：129398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343，"14+"：10000，"15+"：129398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
