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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T050CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
