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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 36nC@10V
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5053TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5053TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5053TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€8.3W

    阈值电压:4.9V@100µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@50V

    连续漏极电流:9.3A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订673个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC018NE2LSIATMA1 起订673个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@12V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R280P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:3.5V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@500V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA400EDJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18533Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18533Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@30V

    连续漏极电流:17A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":848,"22+":2375}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8876

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R120P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R120P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@410µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5053TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5053TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5053TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€8.3W

    阈值电压:4.9V@100µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@50V

    连续漏极电流:9.3A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4488DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4488DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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