品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:17A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:17A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:17A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:17A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:3.5V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSGP03150
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3372pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: