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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
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功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
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功率：2W
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输入电容：75pF@25V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
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功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
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功率：1W
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输入电容：150pF@25V
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类型：N沟道
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导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
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导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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