品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5SCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: