品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R190C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R190C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
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功率:184W
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类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
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功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
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输入电容:2557pF@100V
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类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
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功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
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输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
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行业应用:工业,汽车
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功率:184W
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
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功率:184W
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类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
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规格型号(MPN):IPB60R190C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
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输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
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功率:184W
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类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
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类型:N沟道
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阈值电压:5V@250µA
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
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阈值电压:5V@250µA
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
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连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IPB60R190C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
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