采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB24N60DM2
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功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：STO67N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：72.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STB24N60M2
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功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4.75V@250µA
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输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB24N60M2
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功率：150W
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栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL33N60DM2
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功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
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输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：STB24N60DM2
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导通电阻：200mΩ@9A，10V
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规格型号(MPN)：STB24N60M2
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阈值电压：4.75V@250µA
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输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：STB24N60M2
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类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
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规格型号(MPN)：STB24N60DM2
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阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：1055pF@100V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STO67N60M6
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功率：150W
阈值电压：4.75V@250µA
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输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
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栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL33N60DM2
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
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类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
功率：150W
栅极电荷：43nC@10V
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输入电容：1870pF@100V
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规格型号(MPN)：STO67N60M6
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功率：150W
阈值电压：4.75V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@26A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：STB24N60DM2
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输入电容：1055pF@100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB24N60DM2
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功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB24N60M2
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功率：150W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB24N60DM2
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功率：150W
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栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：150W
输入电容：1055pF@100V
导通电阻：200mΩ@9A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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