采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DN3135N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DN3135N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
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连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
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输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
类型：N沟道
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漏源电压：350V
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导通电阻：35Ω@150mA，0V
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输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：135mA
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类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
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类型：N沟道
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