品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@1.25A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":37200,"18+":1220}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL716SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.5A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3460-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W
阈值电压:3.5V@40µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@1.25A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3446T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: