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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS87H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.8V@108µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：97pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@260mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS87H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：97pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@260mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5103NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS87H6327FTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.8V@108µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：97pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@260mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
