采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@115µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@115µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC035N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：206685，"23+"：29619，"MI+"：50000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
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输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC040N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：3.8V@95µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
