首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 100A
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC031N06NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:4V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:3.3V@41µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订177个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1 起订177个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2608}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:3.3V@41µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7085TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7085TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7085TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.7V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9679}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧