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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT4N20LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@425mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
