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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：59502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4917NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1054pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4485，"09+"：750，"11+"：25000，"12+"：20000，"13+"：16051}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4873NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4485，"09+"：750，"11+"：25000，"12+"：20000，"13+"：16051}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4873NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：59502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4917NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1054pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3052LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@5V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
输入电容：647pF@10V
功率：960mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：0.9nC@10V
连续漏极电流：7.1A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4917NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1054pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
