采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8812DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2308BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2324DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：234mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8812DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS806NEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@11µA
栅极电荷：1.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
