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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@340µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3007LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7716ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：846pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32368
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3007LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7805ZTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3007LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA96DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO040N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS438DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7716ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：846pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R145CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@6.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3007LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
