采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4105TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7820TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4312，"22+"：21701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"21+"：20547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR302NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4105TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3000，"21+"：20547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR302NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4105TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
