品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5104TR2PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€114W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@12.5V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17505Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17555Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4650pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@12.5V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: