采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NK40ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.7A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7490TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4607，"12+"：19940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40LN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N90TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€158W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@2.7A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
