采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：548}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC80N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC80N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3980pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：548}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：548}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC80N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC80N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC80N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC80N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
