品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@24V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
栅极电荷:0.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
栅极电荷:0.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT280ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17483F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHLL110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR4503NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL110TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2N105K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@100V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@750mA,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R4K5P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@20µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@500V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@400mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: