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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 2.6A
    当前匹配商品:500+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-E3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302CDS-T1-E3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86501LZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86501LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:116mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR210TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR210TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR210TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR210TRPBF-BE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR210TRPBF-BE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR210TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR210TRPBF 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR210TRPBF 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR210TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4315TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4315TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4315TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.69W

    阈值电压:1.9V@100µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@35V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:59V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1480DH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1480DH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1480DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NCV8440ASTT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.69W

    阈值电压:1.9V@100µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@35V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:59V

    包装清单:商品主体 * 1

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