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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 18A
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8672S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€14.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8736TRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8736TRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8736TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2315pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7842TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7842TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7842TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8736TRPBF 起订31个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8736TRPBF 起订31个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1616

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8736TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2315pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD770N15A 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD770N15A 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD770N15A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@75V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@12A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":78,"19+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7842TRPBF 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7842TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.25V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4498 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4498 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4498

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6410pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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