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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1927
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC046N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@120µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1927
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC046N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@120µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1927
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC046N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@120µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
