品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@340µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90R1K2C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7545TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.7V@100µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3890pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@51A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:79A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86182
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:24nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420ATRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD06N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1223
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380C6
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90R1K2C3
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@310µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3263,"13+":12860}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R380C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1904
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380C6
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2008}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: