品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1992000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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ECCN:EAR99
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输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
工作温度:-55℃~150℃
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输入电容:340pF@15V
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类型:N沟道
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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类型:N沟道
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漏源电压:30V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1992000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
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输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
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输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4066pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: