采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03EPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM055N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
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输入电容：1210pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
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功率：74W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1210pF@25V
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.1nC@4.5V
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输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：11.1nC@4.5V
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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