采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3565}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：3.5V@30µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：84pF@100V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@400mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDDL01N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
