品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP324H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:154pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@170mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:42.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1439pF@10V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152.7pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":942}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP298H6327XUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7464DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152.7pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68029}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:792pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
栅极电荷:3.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
栅极电荷:3.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@218µA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: