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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2233
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
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输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：12A€60A
类型：N沟道
导通电阻：15.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
