采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17552Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：13.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：13.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17552Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17552Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：13.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：13.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：13.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：13.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17552Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17552Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16409Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@12.5V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16409Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@12.5V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17552Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：30，"17+"：1562}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16409Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@12.5V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17552Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：15A€60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：13.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT36M1LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
