采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：398，"10+"：1670，"13+"：1100，"19+"：11200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4937NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2516pF@15V
连续漏极电流：10.2A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：398，"10+"：1670，"13+"：1100，"19+"：11200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4937NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2516pF@15V
连续漏极电流：10.2A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
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栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：398，"10+"：1670，"13+"：1100，"19+"：11200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4937NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2516pF@15V
连续漏极电流：10.2A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5811NLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：17A€53A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4937NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2516pF@15V
连续漏极电流：10.2A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4937NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2516pF@15V
连续漏极电流：10.2A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1988pF@15V
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：820mW€33W
连续漏极电流：12A€75A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1988pF@15V
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：820mW€33W
连续漏极电流：12A€75A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1988pF@15V
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：820mW€33W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：12A€75A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4937NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：920mW€43W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：10.2A€70A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：2516pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1988pF@15V
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
栅极电荷：31nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：820mW€33W
连续漏极电流：12A€75A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
